响木课堂-需要单独点开搜索-待整理11/3285---半导体器件建模仿真与分析教程

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001.1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4
002.1.2-半导体物理基础简述.mp4
003.1.3-半导体器件物理简述.mp4
004.1.4-一维PN结的数值求解.mp4
005.2.1-二维MOSFET的建模与SWB的基本原理.mp4
006.2.2-Trench IGBT的建模与SWB的基本原理（二）.mp4
007.2-3 TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4
008.2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4
009.2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4
010.3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4
011.3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理（一）.mp4
012.3.3-器件仿真中的物理模型（一）.mp4
013.3-4_物理模型（二）与温度仿真.mp4
014.3-5_碰撞电离与击穿特性仿真.mp4
015.工艺仿真提前梳理（临时）.mp4
016.3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程：一个环振的仿真.mp4
017.3-7：混合模式（二）：修改SPICE模型参数 _ SVISUAL动画自动生成.mp4
018.3-8：缺陷与辐照特性仿真（单粒子效应）.mp4
019.3-9：缺陷（二）与辐照特性仿真（总剂量效应）.mp4
020.3-10：交流小信号分析.mp4
021.3-11：交流小信号分析（二）.mp4
022.3-12：模型参数修改与新建材料(Ga2O3 MOSFET与SiGe Diode).mp4
022.3-12：模型参数修改与新建材料(Ga2O3 MOSFET与SiGe Diode)_2023-11-22_15-21-25.mp4
023.3-13：隧穿模型与隧穿器件.mp4
024.3-14：非完全电离_各向异性与SiC MOSFET仿真.mp4
025.3-15_极化效应与GaN HEMT.mp4
026.3-16 sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp4
027.4-1 ：半导体工艺技术简述.mp4
028.4-2 版图绘制基础（上）.mp4
029.4-3：版图绘制（中）：Cell处理与实用小工具.mp4
030.4-4：版图绘制（下）：派生图层与宏命令编写.mp4
031.4-5：工艺仿真基础（一）.mp4
032.4-6：工艺仿真基础（二）-Static与Adaptive网格设置.mp4
033.4-7：工艺仿真基础（三）(上).mp4
034.4-8：工艺仿真基础（三）（下）.mp4
035.4-9基于ICWBEV的工艺仿真，实现纵向和横向设计的完美分离，提高仿真效率.mp4
036.4-10：基于ICWBEV的工艺仿真（二）与光电二极管仿真.mp4
037.4-11：sprocess结构生成（刻蚀、淀积）与MGOALS.mp4
038.4-12_离子注入仿真（上）.mp4
039.4-13：蒙特卡洛离子注入.mp4
040.4-14：扩散模型.mp4
041.4-15扩散模型（下）与AdvancedCalibration.mp4

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