响木课堂-响木众筹-01 待整理（合集）/待整理4/VASP专题培训：半导体与缺陷DFT计算

主页/01 待整理（合集）/待整理4/VASP专题培训：半导体与缺陷DFT计算/

10_5-2 Gnuplot软件演示.mp4
11_6-1 晶体学基本概念.mp4
12_6-2 Si模型构建与结构优化.mp4
13_6-3 P掺杂对Si结构的影响.mp4
14_6-4 Si(111)模型构建和结构优化.mp4
15_6-5 MoS2模型构建与结构优化.mp4
16_6-6 异质结构模型构建与结构优化.mp4
17_6-7 非晶模型构建.mp4
18_7-1 电荷密度.mp4
19_7-2 电子态密度.mp4
1_1 前言.mp4
20_7-3 晶体轨道哈密顿布居数.mp4
21_7-4 能带结构.mp4
22_7-5 投影电荷密度.mp4
23_7-6 杂化泛函.mp4
24_7-7 介电函数.mp4
25_7-8 功函数.mp4
26_8-1 缺陷形成能文献案例.mp4
27_8-2 缺陷形成能基本概念.mp4
28_8-3 Cu 空位形成能.mp4
29_8-4 Cu间隙位形成能.mp4
2_2-1 Hartree-Fock 理论.mp4
30_8-5 缺陷迁移基本概念和文献案例.mp4
31_8-6 Cu间隙位扩散路径与势垒.mp4
32_8-7 Cu空位扩散路径与势垒.mp4
33_8-8 缺陷电子结构文献案例.mp4
34_8-9 Cu空位、Cu间隙位态密度.mp4
35_8-10 Cu空位、Cu间隙位投影电荷密度.mp4
36_9-1 吸附与扩散性质文献案例.mp4
37_9-2 吸附与扩散性质基本概念.mp4
38_9-3 MoS2吸附F.mp4
39_9-4 F在MoS2表面扩散路径与能垒.mp4
3_2-2 密度泛函理论.mp4
40_9-5 Si掺杂MoS2吸附NH3.mp4
41_9-6 Si掺杂MoS2吸附CH4.mp4
42_9-7 Si掺杂MoS2吸附CH3F-CF4.mp4
43_9-8 CH4在Si掺杂MoS2上脱H反应.mp4
44_9-9 CH3在Si掺杂MoS2上脱H反应.mp4
45_9-10 CH2在Si掺杂MoS2上脱H反应.mp4
46_9-11 CH在Si掺杂MoS2上脱H反应.mp4
47_9-12 Si掺杂MoS2吸附C6H6.mp4
48_9-13 Linux系统环境变量配置.mp4
49_10 总结.mp4
4_2-3 计算方法.mp4
5_3-1 VASP运行流程.mp4
6_3-2 VASP输入输出文件.mp4
7_4-1 超算平台连接.mp4
8_4-2 Linux操作系统基础命令.mp4
9_5-1 VESTA软件演示.mp4

Copyright © All rights reserved.

信息加载中,请等待...